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| 型號: | S25FL512SAGBHB210 |
| 是否Rohs認證： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 包裝說明： | TBGA, |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代碼： | 8542.32.00.51 |
| 風險等級： | 2.19 |
| Samacsys Description： | Cypress Semiconductor S25FL512SAGBHB210, CFI, Parallel, SPI NOR 512Mbit Flash Memory Chip, 24-Pin BGA |
| 其他特性： | ITS ALSO CONFIGURABLE AS 512MX1 |
| 備用內存寬度： | 1 |
| 最大時鐘頻率 (fCLK)： | 133 MHz |
| JESD-30 代碼： | R-PBGA-B24 |
| 長度： | 8 mm |
| 內存密度： | 512753664 bit |
| 內存集成電路類型： | FLASH |
| 內存寬度： | 8 |
| 功能數量： | 1 |
| 端子數量： | 24 |
| 字數： | 64094208 words |
| 字數代碼： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作溫度： | 105 °C |
| 最低工作溫度： | -40 °C |
| 組織： | 64MX8 |
| 封裝主體材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝代碼： | TBGA |
| 封裝形狀： | RECTANGULAR |
| 封裝形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流溫度（攝氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 編程電壓： | 3 V |
| 篩選級別： | AEC-Q100; TS 16949 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供電電壓 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供電電壓 (Vsup)： | 2.7 V |
| 標稱供電電壓 (Vsup)： | 3 V |
| 表面貼裝： | YES |
| 技術： | CMOS |
| 溫度等級： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL |
| 端子節距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 處于峰值回流溫度下的最長時間： | NOT SPECIFIED |
| 寬度： | 6 mm |
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