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                          • 0755-23606513 QQ:1219895042QQ:3061298850
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                          型號:FQP19N10L
                          是否Rohs認證: 符合
                          生命周期:Obsolete
                          零件包裝代碼:TO-220AB
                          包裝說明:TO-220, 3 PIN
                          針數:3
                          Reach Compliance Code:unknown
                          ECCN代碼:EAR99
                          風險等級:5.68
                          雪崩能效等級(Eas):220 mJ
                          配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
                          最小漏源擊穿電壓:100 V
                          最大漏極電流 (Abs) (ID):19 A
                          最大漏極電流 (ID):19 A
                          最大漏源導通電阻:0.11 Ω
                          FET 技術:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
                          JEDEC-95代碼:TO-220AB
                          JESD-30 代碼:R-PSFM-T3
                          JESD-609代碼:e3
                          元件數量:1
                          端子數量:3
                          工作模式:ENHANCEMENT MODE
                          最高工作溫度:175 °C
                          封裝主體材料:PLASTIC/EPOXY
                          封裝形狀:RECTANGULAR
                          封裝形式:FLANGE MOUNT
                          峰值回流溫度(攝氏度):NOT APPLICABLE
                          極性/信道類型:N-CHANNEL
                          最大功率耗散 (Abs):75 W
                          最大脈沖漏極電流 (IDM):76 A
                          認證狀態:Not Qualified
                          子類別:FET General Purpose Power
                          表面貼裝:NO
                          端子面層:Matte Tin (Sn)
                          端子形式:THROUGH-HOLE
                          端子位置:SINGLE
                          處于峰值回流溫度下的最長時間:NOT APPLICABLE
                          晶體管應用:SWITCHING
                          晶體管元件材料:SILICON
                          Base Number Matches:1
                          •  
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